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一、 前道工艺（Front-End-of-Line, FEOL） 定义与作用： 前道工艺是晶圆制造的核心阶段，通过在硅基片上形成晶体管、电容等电子元件，构建集成电路的基础结构。 其核心目标是通过光刻、刻蚀等技术实现纳米级器件图形化，直接影响芯片性能和良率1713。
前道工序（Front - End Of Line，FEOL）：也称为晶圆制造，主要是在半导体晶圆上构建集成电路的核心结构，是从原始的硅晶圆开始，通过光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等一系列复杂工艺，在晶圆上制造出晶体管、二极管等有源器件以及电阻、电容等无源器件，并 ...
半导体工艺里面，从FEOL到BEOL，大概有如下方向：薄膜生长 (deposition)，退火 (anneal)，蚀刻 (etch)，光刻 (litho)，化学机械抛光 (cmp)，掺杂 (doping, 多谢评论指正)，清洗 (clean)，电镀 (plating)等等。下面我会根据简单说一说各工艺当中和材料专业有交集的部分 金属材料背景的选手，由于学过材基，热处理 ...
GAAFET和MBCFET中的硅通道都是悬空的，既然单晶硅基底是通过定向生长实现的，无法在芯片制造过程中悬空生…
前道工艺是晶圆制造的核心阶段，通过在硅基片上形成晶体管、电容等电子元件，构建集成电路的基础结构。其核心目标是通过光刻、刻蚀等技术实现纳米级器件图形化，直接影响芯片性能和良率1713。
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在 CMOS 工艺过程中，通常按照工艺模块分为前道工艺（front end of line，FEOL）、中道工艺（middle of line，MOL）和后道工艺（back end of line，BEOL）。前道工艺包括制造有源区、阱区、栅极、源极和漏极等；后道工艺包括制造金属互连线及金属通孔，目前的先进节点（0.18μm 及更先进节点）大多选用铜作为 ...
半导体的工艺流程一般分为三段，即 FEOL:前段,主要包含浅槽隔离模组，阱形成模组，器件模组 MEOL:中段,一般指接触孔模组 BEOL:后段,主要包含金属互连线模组 前段时间为大家介绍了55/65nm后段工…
另外还有一些别人翻译的，对半导体制造工艺进行详细讲解的。 你可以看看。 另外就是芯片制造工艺分为FEOL、MOL和BEOL，前道工序、中道工序和后道工序，你可以参考一下《集成电路产业全书》，里面有非常详细的介绍。
而Thin film和Diff要好很多，也能避免辐射，但是负责的工艺很局限，比如单纯的FEOL或者BEOL，跳槽转行相对而言受限。 除非是18-21年的大行情，否则很难。